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中瑞宏芯正式发布1200V/14mΩ SiC MOSFET新产品- HX1M014120K的量产计划。
直径约10厘米、厚度只有0.35毫米……近日，在国家第三代半导体技术创新中心（苏州）（下称“国创中心”），记者见到仅三张A4纸厚度的碳化硅晶片，模样虽小，却能迸发出大能量。“这是第三代半导体的关键核心材料之一，看着不起眼，却是个实打实的节能高手。我们正在进行联合攻关，用它为新能源汽车打造国产‘功率芯’。”江苏第三代半导体研究院院长徐科说。党的二十大报告强调，以国家战略需求为导向，集聚力量进行原创性
中瑞宏芯与国家第三代半导体技术创新中心（苏州）共建碳化硅车用大功率MOSFET芯片技术联合研发中心
中瑞宏芯半导体有限公司副总经理、CTO孙军接受看苏州专题采访
“布局第三代半导体，得碳化硅者得天下。”自工信部正式宣布将碳化硅（SiC）复合材料等纳入“十四五”产业科技创新相关发展规划，巨大增量市场应运而生。在新一代黄金赛道，手握这颗最炙手可热的星，2021年6月23日落户园区的苏州中瑞宏芯半导体有限公司迎来发展窗口期。
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